Корзина
365 отзывов
УкраинаКиевская областьКиевСклад + офис метро Васильковская
+380673928220
+380
97
350-92-92
+380
66
350-92-92
+380
93
350-92-92
Наличие документов
Знак Наличие документов означает, что компания загрузила свидетельство о государственной регистрации для подтверждения своего юридического статуса компании или физического лица-предпринимателя.
CompSoft - интернет магазин компьютерных комплектующих и лицензионного ПО
Корзина

Micron возлагает большие надежды на 3D NAND и GDDR6

Micron возлагает большие надежды на 3D NAND и GDDR6

На днях в ходе мероприятия Micron Analyst Conference топ-менеджеры американской компании Micron Technology рассказали о перспективах и векторах развития рынка памяти, а также поделились информацией о текущих проектах. По прогнозам производителя, 2017 год станет весьма успешным для компаний, выпускающих и оперативную память, и память NAND Flash. К их числу относится и сама Micron.

Неудачи 2016 года сменятся новым периодом роста

Неудачи 2016 года сменятся новым периодом роста

После освоения 20-нм техпроцесса производства RAM и связанной с этим модернизации цехов Micron взяла курс на 16-нм технологию, обозначенную в планах компании как «1X нм». Ожидается, что новый рубеж будет покорён инженерами уже в текущем году. При этом гигабайт оперативной памяти станет дешевле в производстве на 20 %. Вслед за успешным налаживанием выпуска 32-слойной памяти TLC NAND компания рассчитывает внедрить 64-слойные микросхемы того же типа. Их максимальная ёмкость будет в полтора раза меньше (256 Гбит против 384 Гбит), но занимаемая площадь также уменьшится — примерно в два раза.

Micron NAND

 

256 Гбит (32 Гбайт) данных можно будет записывать на микросхемы площадью 59 кв. мм

256 Гбит (32 Гбайт) данных можно будет записывать на микросхемы площадью 59 кв. мм

Значительный процент выхода годных (рабочих) 64-слойных кристаллов TLC NAND должен стать реальностью до конца 2017 финансового года Micron, то есть не позднее сентября. А уже во втором полугодии календарного 2017 г. начнётся пробный выпуск чипов нового (третьего) поколения.

Micron NAND

Многослойная NAND флеш-память с достойными показателями энергоэффективности — основа появления в будущем терабайтных накопителей в смартфонах и планшетах. По самому оптимистичному сценарию, таковые дебютируют на рынке в 2018 г.

Micron NAND

В конце 2017 — начале 2018 года Micron анонсирует новую буферную память для графических адаптеров и консольных SoC — GDDR6. В отличие от GDDR5X она значительно — в два раза — превзойдёт показатели скорости GDDR5. Пропускная способность до 16 Гбит/с на контакт и более экономичная архитектура должны обеспечить GDDR6 активный спрос и долгий жизненный цикл. В серийных продуктах новая VRAM появится в следующем году и будет оставаться актуальной ещё как минимум несколько лет. Игровые приставки мигрируют с GDDR5 на GDDR6 позже видеокарт, но сам переход будет более быстрым.

Micron GDDR6

Вопреки ожиданиям, Micron не конкретизировала свои планы по выпуску накопителей на основе памяти 3D XPoint. Для их серийного производства необходим переход на чипы второго и третьего поколений, поэтому анонсы последуют ближе к концу года. Для 3D XPoint у Micron уже имеется бренд QuantX.

Micron 3D XPoint
Предыдущие новости