Продавець CompSoft-інтернет магазин комп'ютерних комплектуючих розвиває свій бізнес на Prom.ua 12 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
729 відгуків
+380 (97) 350-92-92
+380 (66) 350-92-92
+380 (93) 350-92-92
CompSoft - інтернет магазин комп'ютерних комплектуючих та ліцензійного ПЗ
Кошик

Micron покладає великі надії на 3D NAND і GDDR6

Micron покладає великі надії на 3D NAND і GDDR6

Днями в ході заходу Micron Analyst Conference топ-менеджери американської компанії Micron Technology розповіли про перспективи та вектори розвитку ринку пам'яті, а також поділилися інформацією про поточні проекти. За прогнозами виробника, 2017 рік стане успішним для компаній, що випускають і оперативну пам'ять, і пам'ять NAND Flash. До їх числа відноситься і сама Micron.

Невдачі 2016 року зміняться новим періодом зростання

Невдачі 2016 року зміняться новим періодом зростання

Після освоєння 20-нм техпроцесу виробництва RAM і пов'язаної з цим модернізації цехів Micron взяла курс на 16-нм технологію, позначену в планах компанії як «1X нм». Очікується, що новий кордон буде підкорений інженерами вже в поточному році. При цьому гігабайт оперативної пам'яті стане дешевше у виробництві на 20 %. Слідом за успішним налагодженням випуску 32-шарової пам'яті TLC NAND компанія розраховує впровадити 64-слойні мікросхеми того ж типу. Їх максимальна ємність буде в півтора рази менше (256 Гбіт проти 384 Гбіт), але займана площа також зменшиться приблизно в два рази.

Micron NAND

 

256 Гбіт (32 Гбайт) даних можна буде записувати на мікросхеми площею 59 кв. мм

256 Гбіт (32 Гбайт) даних можна буде записувати на мікросхеми площею 59 кв. мм

Значний відсоток виходу придатних (робочих) 64-шарових кристалів TLC NAND повинен стати реальністю до кінця 2017 фінансового року Micron, тобто не пізніше вересня. А вже у другому півріччі календарного 2017 р. почнеться пробний випуск чіпів нового (третього) покоління.

Micron NAND

Багатошарова NAND флеш-пам'ять з гідними показниками енергоефективності — основа появи в майбутньому терабайтних накопичувачів в смартфонах і планшетах. За найоптимістичнішим сценарієм, такі дебютують на ринку в 2018 р.

Micron NAND

В конце 2017 — начале 2018 года Micron анонсирует новую буферную память для графических адаптеров и консольных SoC — GDDR6. В отличие от GDDR5X она значительно — в два раза — превзойдёт показатели скорости GDDR5. Пропускная способность до 16 Гбит/с на контакт и более экономичная архитектура должны обеспечить GDDR6 активный спрос и долгий жизненный цикл. В серийных продуктах новая VRAM появится в следующем году и будет оставаться актуальной ещё как минимум несколько лет. Игровые приставки мигрируют с GDDR5 на GDDR6 позже видеокарт, но сам переход будет более быстрым.

Micron GDDR6

Всупереч очікуванням, Micron не конкретизувала свої плани по випуску накопичувачів на основі пам'яті 3D XPoint. Для їх серійного виробництва необхідний перехід на чіпи другого і третього поколінь, тому анонси підуть ближче до кінця року. Для 3D XPoint у Micron вже є бренд QuantX.

Micron 3D XPoint
Інші новини
  • Огляд смартфона Honor 9X: на підніжці потягу
    Огляд смартфона Honor 9X: на підніжці потягу
    З виведенням на світовий ринок смартфонів у «бюджетно-молодіжного» підрозділу Huawei
  • Огляд Samsung Galaxy Fold: головний смартфон року
    Огляд Samsung Galaxy Fold: головний смартфон року
    Про можливості створення гаджетів з гнучкими екранами говорилося вже дуже давно — дисплеї, які не потребують спеціальної підкладки з лампами підсвічування, а побудовані на органічних світлодіодах, здатних до самостійного світінням

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner